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简介




陈光德

教授 博士生导师 (理学院)

教育部物理专业教学指导委员会委员,中国物理学会理事,中国物理学会教学委员会副主任,陕西省物理学会理事长等职
 

联系方式

陈光德 教授
电  话:029-86652001 
E-mail:gdchen@xjtu.edu.cn 
邮  编:710049 
地  址:陕西省西安市咸宁西路28号
              西安交通大学应用物理系

学术秘书:耶红刚
电  话:029-82663128
E-mail:hgye@xjtu.edu.cn   
地  址:西安交通大学材料与基础

             科学大楼B855室

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科学研究

  
研究领域

(1) 半导体材料与光电器件方向
    本课题组长期从事半导体材料基础物理性质及其在新能源相关领域的应用研究,课题组拥有较完善的实验设备和良好的计算平台,以实验手段和理论计算相结合为特色,具体研究方向包括:
    1. 高能效半导体发光材料与器件的物理机制与性能优化。
    2. 新型光伏材料的底层机理研究及新材料反向设计。
    3. 高效半导体光催化剂的结构设计与表面修饰。
(2) 基于密度泛函理论的第一性原理研究
    1. AlN表面及其纳米结构物理性质的第一性原理计算;ZnO表面水分子、甲醛吸附研究。
    2. 多晶CdTe太阳能电池材料缺陷及太阳能转换效率研究。
    3. ZnO、AlN纳米纳米线中应力作用及相变机理研究。
    4. 石墨烯、MoS2、BN等二维层状结构材料吸附及电子输运性能研究。
    5. AlN、ZnO中自发极化研究。


 
科研项目

项目名称

项目来源

起讫时间

项目编号

基于阳离子替换的纤锌矿演化结构中P型透明导电体的计算与设计国家自然科学基金2019.01-2022.1211874294
表面修饰对GaN:ZnO固溶性光催化性能的优化研究国家自然科学基金2014.01-2017.1221373156
CdTe多晶薄膜中的位错和晶界及其对光电性能的影响研究   国家自然科学青年基金2015.01-2017.1211404253
极化效应对ZnO极性面稳定性的影响研究国家自然科学青年基金2013.01-2015.1211204231
GaN&ZnO半导体及其合金表面与水分子的相互作用研究国家自然科学基金2012.01-2015.1261176079
AlN半导体中的极化场及其对光学性质的影响研究国家自然科学基金2011.01-2013.1211074200

AlN基半导体异质结构中极化场对其光学性质的影响

省自然科学基金

2009.01-2010.12

2009JM1005

InxGa1-xN半导体材料的发光机理研究

国家自然科学基金

2005.01-2007.12

10474078

III-V族氮化物的喇曼散射研究

省自然科学基金

2005.01-2006.12

 

基于多激光器的新型激光数字散斑测量仪研制

科学计划项目

2005.01-2007.12

 

III族氮化物载流子动力学研究

国家自然科学基金

1999.01-2001.12

 


 
科研获奖

项目名称

获奖类别等级

获奖时间

氮化镓激子复合动力学的研究

西安交通大学科学技术奖,一等

1997

GaN基半导体激子动力学研究

陕西省教育厅科学技术奖,二等

2003

GaN基半导体激子动力学研究

陕西省科学技术奖,二等

2004

AlN宽禁带半导体纳米结构制备

陕西省高等学校科学技术奖,一等

2014


 
国际交流

 
 美国国家可再生能源实验室
(National Renewable Energy Laboratory,NREL)
   

 

    本项目组和NREL魏苏怀博士有长期的合作关系。魏苏怀博士是NREL理论组首席科学家,是第一性原理计算方面国际知名学者,主要从事与新能源相关的材料设计研究。为本课题组理论方面的发展做出了极大贡献。


Dr. Su-Huai Wei is a Principal Scientist and Group Manager of the Theoretical Material Science Group in the Materials and Computational Science Center at NREL. He received a B.S. in Physics from Fudan University, Shanghai, China, in 1981 and a Ph.D. in Physics from the College of William and Mary in 1985 (with Prof. Henry Krakauer). He joined NREL in 1985. His current research is focused on developing first-principles electronic structure theory of materials, which includes studying:


· Electronic structures and stabilities of ordered and disordered semiconductor and metallic alloys, superlattices, and interfaces

· Magnetic properties of semiconductors

· Optoelectronic properties of photovoltaic and light emitting materials.

· Electronic properties of organic and hybrid semiconductors.

· Defect physics in semiconductors and quantum dots.

· Energy storage materials.


Dr. Wei has published more than 300 peer-reviewed papers, including more than 69 articles in Physical Review Letters and Physical Review Rapid Communications. His papers have been cited more than 11,000 times (with an H factor of 55). Dr. Wei has been a Fellow of the American Physical Society since 1999.
 
  
 Dr. Su-Huai Wei

Phone: 303-384-6666
FAX: 303-384-6432
Email: swei@nrel.gov
Address: NREL, 1617 Cole Blvd., Golden, CO 80401, USA
       
 德克萨斯理工大学
(Taxes Tech University, TTU)
   

 

    本课题组和TTU江红星教授有长期的合作关系。江红星教授2008年以前供职于Kansas State University,长期从事III族氮化物半导体材料与器件研究,相关工作一直处于该领域国际领先地位。为本课题组实验方面的发展提供了很大帮助。


Prof. Hongxing Jiang Edward E. Whitacre, Jr. Endowed Chair and Professor of Electrical and Computer Engineering at Texas Tech University (2008 - ), Focus on the study of MOCVD growth, light emitting mechanism and device design of III-nitrides, particularly for AlGaN ternary alloys with high Al contents, including:

· Wide band gap semiconductors epitaxial growth;

· micro- and nano-photonic and electronic device physics and processing;

· III-nitride nanostructures and devices for solid-state lighting, biological and chemical agent sensing, and harvesting energy;

· erbium doped semiconductors for optical communications;

· defects in semiconductors;

· effects of persistent photoconductivity in semiconductors;

· optical and transport properties of low dimensional semiconductor systems.


He is an international famous researcher in this area. About 300 papers have been published in the famous journals of Appl. Phys. Lett. ,Phys. Rev. Lett. , J. Appl. Phys. and so on.
 
  
 Prof. Hongxing Jiang

Phone: 806-742-3533 ext. 256
Fax: 806-742-1245
Email: hx.jiang@ttu.edu
Address: Room 241 EE at TTU, Lubbock, TX 79409, USA

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