聚焦芯片:不均匀补偿电场中的晶体管高跨导新机制


2018-12-10

    芯片是由场效应晶体管组成的,是信息产业的基础,其亚阈值摆幅存在波尔兹曼限制。课题组提出不均匀补偿电场中的晶体管高跨导机制,理论上可以突破器件的波尔兹曼限制。该机制和补偿电场分布、半导体厚度、掺杂浓度有关,而对温度、材料的本征迁移率等参数不敏感,因此可以在室温下聚合物晶体管中实现。相关论文被美国物理学会APS旗下的Physical Review Applied接收,硕士生胡郁蓬和博士生魏鹏为共同第一作者,鲁广昊为独立通讯作者。论文的数值模拟和实验观测均由课题组独立完成。

Yupeng Hu, Peng Wei, Xudong Wang, Laju Bu, Guanghao Lu*. Giant Transconductance of Organic Field-Effect Transistors in Compensation Electric Fields. Physical Review Applied2018, 10, 054024.

全文链接:

https://journals.aps.org/prapplied/abstract/10.1103/PhysRevApplied.10.054024



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