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Radiation Effect on the Electron Transport Properties of SiO2/Si Interface: Role of Si Dangling-Bond Defects and Oxygen Vacancy




作者: 渠广昊,闵道敏,赵中华,Michel Fréchette,李盛涛
发表/完成日期: 2018-09-13
期刊名称: 2018 IEEE 2ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON DIELECTRICS (ICD 2018)
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