西安交通大学教师个人主页 陈 雪江

★ 2010年04月 – 现在  西安交通大学 能源与动力工程学院 副教授
★ 2005年08月 – 2010年04月 日本 九州大学 应用力学研究所 学术研究员
★ 2004年07月 – 2005年07月 韩国 韩国高等科学技术研究院 ( KAIST )“BK 21” 博士后
★ 2000年04月 – 2003年11月 西安交通大学 能源与动力工程学院 动力工程与工程热物理 博士
★ 1997年09月 – 2000年03月 西安交通大学 能源与动力工程学院 动力工程与工程热物理 硕士
★ 1993年09月 – 1997年07月 西安交通大学 能源与动力工程学院 流体机械与透平机械 本科

★ 晶体生长过程中晶体内部的热应力和缺陷的研究
★ 晶体生长过程的热问题的全局数值模拟和生长系统的优化设计 （CaF₂, AlN, SiC, Si......）
★ 网格生成技术及其系统的GUI设计
★ 高精度谱元方法的研究 （Spectral Element Method）
★ 层流边界层的控制技术
★ 透平机械和通风机的选型设计

★ 《科学技术与工程伦理》（本科生课程）

★ 《中华灯谜艺术及欣赏》（本科生课程）

★ 《太阳能应用》（本科生课程）

★ 《制冷原理与装置》（本科生课程）

★ 《通风机与泵》（本科生课程）

★ 《科技英语阅读与写作》（本科生课程）

★ 《太阳能光电技术导论》（研究生课程）

★ 《工程伦理》（研究生课程）

★ 《学术英语交流技能与实战》（研究生课程）

1. Xuejiang Chen and Yuan Li, Stepped morphology on vicinal 3C-and 4H-SiC (0001) faces: A kinetic Monte Carlo study. Surface Science. 2019, 681: 18-23.
2. Xuejiang Chen, Juan Su and Yuan Li, Application of a niching genetic algorithm to the optimization of a SiC crystal growth system. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2017, 28: 269-275.
3. Juan Su, Xuejiang Chen, Yuan Li, Michel Pons and Elisabeth Blanquet, A niching genetic algorithm applied to optimize a SiC-bulk crystal growth system. Journal of Crystal Growth. 2017,468: 914-918.
4. Yuan Li, Xuejiang Chen and Juan Su, Effect of nucleation on instability of step meandering during step-flow growth on vicinal 3C-SiC (0001) surfaces. Journal of Crystal Growth. 2017, 468: 28-31.
5. Yuan Li, Xuejiang Chen and Juan Su, Study on formation of step bunching on 6H-SiC(0001) surface by kinetic Monte Carlo method. Applied Surface Science. 2016,371:242-247
6. J. Su, X.J. Chen, and Y. Li, Numerical design of induction heating in the PVT growth of SiC crystal. Journal of Crystal Growth. 2014,401(11):128-132
7. X.J. Chen, T.Y. Cao, J. Su and G.L. Qin, Experimental and numerical analysis on noise reduction in a multi-blade centrifugal fan, IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 52 (2013) 022046
8. X.J. Chen, S. Nakano and K. Kakimoto, 3D numerical analysis of the influence of material property of a crucible on stress and dislocation in multicrystalline silicon for solar cells. Journal of Crystal Growth. 2011, 318: 259-264.
9. X.J. Chen, S. Nakano and K. Kakimoto, Three-dimensional global analysis of thermal stress and dislocations in a silicon ingot during a unidirectional solidification process with a square crucible. Journal of Crystal Growth. 2010, 312: 3261-3266.
10. X.J. Chen, S. Nishizawa and K. Kakimoto, Numerical simulation of a new SiC growth system by the dual-directional sublimation method. Journal of Crystal Growth. 2010, 312: 1697-1702.
11. X.J. Chen, S. Nakano, L.J. Liu and K. Kakimoto, Gedanken experiment on point defects in unidirectional solidified single crystalline silicon with no dislocations. Journal of Crystal Growth. 2010, 312: 192-197.
12. X.J. Chen, S. Nakano, L.J. Liu and K. Kakimoto, Simulation analysis of point defects in a silicon ingot during a unidirectional solidification process for solar cells. ECS Transactions. 2009, 18(1): 1031-1035.
13. X.J. Chen, S. Nakano, L.J. Liu and K. Kakimoto, Study on thermal stress in a silicon ingot during a unidirectional solidification process. Journal of Crystal Growth. 2008, 310: 4330-4335.
14. X.J. Chen, L.J. Liu, H. Tezuka, Y. Usuki and K. Kakimoto, Optimization design of the crucible for a SiC sublimation growth system using a global simulation model. Journal of Crystal Growth. 2008, 310(7-9), 1810-1814.
15. X.J. Chen, L.J. Liu, H. Tezuka, Y. Usuki and K. Kakimoto, Numerical investigation of induction heating and heat transfer in a SiC growth system. Crystal Research and Technology. 2007, 42(10): 971-975.
16. X.J. Chen, K. Kim and H.J. Sung, Effect of local blowing from a slot on a laminar boundary layer. Fluid Dynamics Research. 2006, 38: 539-549.