基本信息

 

2014-至今 西安交通大学,电信学院,固态照明中心,

博导,特聘研究员
2014-2015
美国耶鲁大学 (Yale Univeristy

访问学者 Visiting Fellow
2010-2013
美国Luminus Devices公司

高级研发设计工程师
2009
美国通用电器公司全球研发中心

GE, Global Research Center) 研发工程师
2004-2010
美国 Rensselaer Polytechnic Institute

(伦斯勒理工)博士
1999-2004
中国科学技术大学 学士

联系方式


yufengli@mail.xjtu.edu.cn    
TEL:029-82668015 
办公室:教二南楼-西
西安交通大学 电子与信息工程学院
西安市咸宁西路28号   710049 

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研究领域

    2004年本科毕业于中国科学技术大学应用物理专业。2004年到2010年在美国纽约州伦斯勒理工学院(Rensselaer Polytechnic Institute)攻读应用物理学博士期间,在Christian Wetzel教授(师从2014年诺贝尔物理学奖得主Isamu Akasaki)指导下主要从事宽禁带III-氮化物半导体材料生长及其结构、电光学特性的研究,并作为骨干成员参与了多项美国国防部、能源部、空军实验室、国家自然科学基金研究项目。作为第一作者和共同作者在国际学术期刊上发表论文近40篇,并被20多个国家,200多个不同的科研单位引用超过300次。这些成果被多个国际半导体专业媒体报道。申请人在氮化物领域的若干重大学术会议上做了多次口头报告,作为第一作者和主要骨干发表会议摘要40余篇。长期担任J. Appl. Phys., Appl. Opt., IEEE Trans. Electron Devices,J. Electron. Mater.等十多个国际期刊审稿人。

 

    2008-2009年和团队成功地首次实现了a-plane和m-plane GaN同质衬底上非极性深绿光LED的材料生长和器件制备。这些成果引起了若干专业媒体的关注:英国杂志Semiconductor today评价该技术突破使更高效率。2009-2010年和团队在国际上第一次成功使用纳米图案化蓝宝石衬底外延技术生长绿光LED。工业界对该成果给予了积极的评价:奥地利半导体制造设备供应商 EVGroup评价“…a big step forward to boost efficiency of green LEDs”。LaserFocusWorld杂志评论“…could hold important implications for the rapidly growing, fast-changing LED industry”。 2010年-2013年受聘于美国麻省理工学院(MIT)创办的朗明纳斯器件公司(Luminus Devices, Inc.),任高级器件设计工程师。主持了多项超大功率,超高亮度照明产品的研发和产业化。比如对全球首款圆形单芯高功率LED的设计一举解决了传统LED芯片跟二次出光系统的光学耦合效率问题。各大固态照明媒体,包括Yahoo Finance(“雅虎金融”)争相报道的这一个产业化成果,称之为“Revolutionary Innovation”。再比如对新一代超高功率绿光LED开发,使Luminus的单颗绿光芯片亮度达到5600流明,在投影机光源市场的竞争中击败了德国LED龙头企业Osram的同类产品。

 

目前主持科研项目

1.国家自然科学基金青年项目, 61404101, “大电流密度下绿光LED内量子 效率的研究”。

2.  国家自然科学基金面上项目,6157414,“多节高铟InGaN基量子阱太阳能电池的研究”。

 

 研究领域:

GaN基光电子材料和器件,InGaN、GaN材料生长,光电子器件,大功率照明芯片制备。

 

招生信息:

从事III-V族宽禁带半导体研究,具有物理、材料、电子背景的学生。