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陈良老师的论文在《Nanoscale》（IF=7.394）发表
发布者: 侯予 | 2016-04-15 | 128

 

团队青年教师陈良博士的共同作者论文“Phonon Transport at the Interfaces of Vertically Stacked Graphene and Hexagonal Boron Nitride Heterostructures”在国际期刊《Nanoscale》（IF=7.394）上发表。
近些年，石墨烯(SLG)、氮化硼(BN)等二维材料在纳米电子器件、光电器件、生物化学传感器等应用领域得到了广泛的关注。随着器件尺寸的不断减小，以及功率密度的不断升高，电子器件热管理成为了影响器件性能和可靠性的关键技术。二维材料与其基体间的界面热阻是造成低效散热的重要因素。针对纳米材料界面进行工程设计，增强声子耦合，从而减小界面热阻，是改善散热的有效手段。在该研究中，基于第一性原理计算和格林方程，针对石墨烯和氮化硼界面热量传输机理建立了原子尺度传热模型，获得了通过界面的声子输运系数。该文章首次报道了通过SLG/BN界面的声子输运在波矢空间的分布规律，以及不同声子模和界面原子结构对界面传热的贡献。该方法开创了探索新材料界面传热的新研究方法，可用于研究各种新纳米材料界面微观结构、界面结合键、界面电场耦合等因素对声子传输和导热的影响，对新型二维纳米材料在电子器件领域的工程应用提供了重要的基础研究方法。
该论文是美国佐治亚工学院（Georgia Tech）博士研究生阎哲泉、西安交大陈良博士、美国橡树岭国家实验室Mina Yoon研究员和佐治亚工学院Satish Kumar教授合作共同完成。团队青年教师陈良博士排名第二，其博士期间的研究工作为该研究奠定了理论和方法基础，建立了第一性原理计算模型和格林方程声子传输计算方法。
详细内容请参考全文以及Georgia Tech相关报道。
 
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