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方柱微结构芯片射流冲击流动沸腾换热实验研究




作者: 郭栋, 魏进家*, 张永海
发表/完成日期: 2010-06-21
期刊名称: 西安交通大学学报, 2011, 45(1): 31-37.
期卷: 45(1)
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论文简介
对喷射条件下的电子芯片在FC-72中流动沸腾换热进行了研究。并和同工况下的光滑芯片作了对比。实验选取的工况如下:过冷度为25、35℃,横流速度Vc分别为0.5、1、1.5m/s,喷射速度Vj分别为0、1、2m/s,实验采用的硅片尺寸为10 mm×10 mm×0.5 mm,通过干腐蚀技术在其表面加工出30μm×120μm、50μm×120μm的方柱微结构。结果实验表明,所有芯片换热性能都随过冷度和流速的增加而提高,方柱微结构能明显的强化芯片换热,而射流冲击进一步提高了芯片在高热流密度下的换热性能。同一横流速度下,喷射速度越大,换热性能越好。随着横流速度的增加,冲击的强化效果减弱,临界热流密度值增幅减小。
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