论文与专利 - 胡 文波
| Patent Name | Application Number | xjtu.gr.patent.type | Application Date |
|---|---|---|---|
| 一种金刚石基氮化镓复合晶片及其键合制备方法 | 2020105866928 | Invention | 2020.07.01 |
| 一种降低铝基材料二次电子发射系数的表面处理方法 | 202010214903.5 | Invention | 2020.03.24 |
| 一种用于电子倍增器快速精确装配的工装及装配方法 | 2019110633056 | Invention | 2019.10.31 |
| 一种表面活化过程中高速氩原子束获得装置及获得方法 | 2019108126547 | Invention | 2019.08.30 |
| 一种用于抑制二次电子发射的碳基薄膜及其制备方法 | 2019106220050 | Invention | 2019.07.10 |
| 一种金刚石输能窗及其制备方法 | 2019105449861 | Invention | 2019.06.21 |
| 一种金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管异质集成方法 | 2019102225727 | Invention | 2019.03.22 |
| 一种电子倍增器的结构及组装方法 | 2018110459572 | Invention | 2018.09.07 |
| 用于氮化镓和金刚石直接键合的生产设备 | 201821062676.3 | Utility model | 2018.08.01 |
| 一种氮化镓/金刚石的直接键合方法 | 201810732475.8 | Invention | 2018.08.01 |
| 金属与氧化锌掺杂氧化镁二次电子发射薄膜及其制备方法 | 2018101835124 | Invention | 2018.03.06 |
| 一种氧化镁金属陶瓷二次电子发射薄膜及其制备方法 | 2017112404156 | Invention | 2017.11.30 |
| 掺杂金属和氧化铝的氧化镁二次电子发射薄膜及其制备方法 | 2017109428600 | Invention | 2017.10.11 |
| 一种二次电子发射薄膜的缓冲层及其制备方法 | 2016110973425 | Invention | 2016.12.02 |
| 打拿极结构及基于该打拿极结构的弧形打拿极电子倍增器 | 2015108086274 | Invention | 2015.11.19 |
| 一种打拿极薄膜结构及基于打拿极薄膜结构的电子倍增器 | 2015108086289 | Invention | 2015.11.19 |
| 一种多层表面传导电子发射源结构及其制备方法 | 2015108084368 | Invention | 2015.11.19 |
| 一种用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法 | 2015102559804 | Invention | 2015.05.19 |
| 一种表面传导电子发射源结构及其制作方法 | 201510036036X | Invention | 2015.01.23 |
| 一种动态多级串联同轴碟型通道打拿级电子倍增器 | 2014106416701 | Invention | 2014.11.13 |
(创新港)
