An improved switching loss model for a 650V enhancementmode GaN transistor
发布时间：2026-10-22
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- 发布时间：
- 2026-10-22
- 论文名称：
- An improved switching loss model for a 650V enhancementmode GaN transistor
- 发表刊物：
- 2016 IEEE 2nd Annual Southern Power Electronics Conference
- 合写作者：
- Wang KP, Tian MF, Li HC, Zhang F, et al.
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2016-08-06