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High-Performance GaN Vertical Schottky Barrier Diode With Self-Alignment Trench Structure
发布时间：2026-07-09
- 论文名称：
- High-Performance GaN Vertical Schottky Barrier Diode With Self-Alignment Trench Structure
- 发表刊物：
- IEEE Transactions on Electron Devices
- 合写作者：
- C. Han*, M. Yang, W. Liu, L. Geng*,Y. Hao
- 第一作者：
- J. Liu
- 论文类型：
- 期刊论文
- 卷号：
- 69
- 期号：
- 9
- 页面范围：
- 5082-5087
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2022-01-01
