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Impact of Proton Irradiation on Threshold Switching Dynamics in Niobium Oxide Mott Memristors
发布时间：2026-07-09
- 论文名称：
- Impact of Proton Irradiation on Threshold Switching Dynamics in Niobium Oxide Mott Memristors
- 发表刊物：
- IEEE Electron Device Letters
- 合写作者：
- S. Pu, Y. Li, J. Li, G. Zhang*, C. Gong, S. Zhao, Y. Yuan, S. Fan, X. Huang, X. Li, W. Liu, L. Geng, S. Tian, C. He,C. Y Han*
- 第一作者：
- Y. Wang
- 论文类型：
- 期刊论文
- 卷号：
- 47
- 期号：
- 4
- 页面范围：
- 828-831
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2026-01-01
