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A Passive and Scalable High-Order Neuromorphic Circuit Enabled by Mott Memristors
发布时间：2026-07-09
- 论文名称：
- A Passive and Scalable High-Order Neuromorphic Circuit Enabled by Mott Memristors
- 发表刊物：
- IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits
- 合写作者：
- X. Wu, S. Zhao, W. Liu, X. Li, L. Geng,C. Han*
- 第一作者：
- Z. Lin
- 论文类型：
- 期刊论文
- 卷号：
- 11
- 页面范围：
- 60-66
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2025-01-01
