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Multilevel resistive random access memory achieved by MoO3/Hf/MoO3stack and its application in tunable high-pass filter
发布时间：2026-07-09
- 论文名称：
- Multilevel resistive random access memory achieved by MoO3/Hf/MoO3stack and its application in tunable high-pass filter
- 发表刊物：
- Nanotechnology
- 合写作者：
- C. Y. Han*, W. H. Liu, X. Li, X. L. Wang, X. D. Huang, J. Wan, S. Q. Fan, G. H. Zhang,L. Geng
- 第一作者：
- S. L. Fang
- 论文类型：
- 期刊论文
- 卷号：
- 32
- 期号：
- 38
- 页面范围：
- 385203
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-01-01
