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Biodegradable transient resistive random-access memory based on MoO3/MgO/MoO3 stack
发布时间：2026-07-09
- 论文名称：
- Biodegradable transient resistive random-access memory based on MoO3/MgO/MoO3 stack
- 发表刊物：
- Applied Physics Letters
- 合写作者：
- W. H. Liu, X. Li, X. L. Wang, L. Geng, M. S. Wu, X. D. Huang,C. Y. Han*
- 第一作者：
- S. L. Fang
- 论文类型：
- 期刊论文
- 卷号：
- 115
- 期号：
- 24
- 页面范围：
- 244102
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2019-01-01
