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A 1T1M Programmable Artificial Spiking Neuron via the Integration of FeFET and NbOx Mott Memristor
发布时间：2026-07-09
- 论文名称：
- A 1T1M Programmable Artificial Spiking Neuron via the Integration of FeFET and NbOx Mott Memristor
- 发表刊物：
- IEEE Electron Device Letters
- 合写作者：
- C. Y. Han*, F. B. Tian, Y. B. Yuan, J. S. Chai, H. Xu, S. Q. Fan, X. Li, W. H. Liu, C. Li, W. M. Tang, P. T. Lai, X. D. Huang, G. H. Zhang, L. Geng,X. L. Wang
- 第一作者：
- S. J. Zhao
- 论文类型：
- 期刊论文
- 卷号：
- 45
- 期号：
- 7
- 页面范围：
- 1169-1172
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2024-01-01
