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High-Performance Pentacene Organic Thin-Film Transistor Based on Room-Temperature-Processed Hf0.13 La0.87O as Gate Dielectric
发布时间：2026-07-09
- 论文名称：
- High-Performance Pentacene Organic Thin-Film Transistor Based on Room-Temperature-Processed Hf0.13 La0.87O as Gate Dielectric
- 发表刊物：
- IEEE Electron Device Letters
- 合写作者：
- P.-T. Lai*,W. M. Tang*
- 第一作者：
- C. Y. Han
- 论文类型：
- 期刊论文
- 卷号：
- 42
- 期号：
- 3
- 页面范围：
- 339-342
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-01-01
