基于0.13um SiGe BiCMOS工艺的片上滤波器被IEEE EDL录用
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发布时间：2020-09-28
发布时间：2020-09-28
文章标题：基于0.13um SiGe BiCMOS工艺的片上滤波器被IEEE EDL录用
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与悉尼科技大学朱熹博士合作，研制了一种基于锗化硅工艺的片上宽带带通滤波器。已被IEEE Electron Device Letters录用。
Kai-Da Xu, Xi Zhu, Yang Yang, and Qiang Chen, “A broadband on-chip bandpass filter using shunt dual-layer meander-line resonators,” IEEE Electron Device Lett., 2020. DOI: 10.1109/LED.2020.3027734