课题组关于放电等离子体刻蚀的高分子薄膜准原位亚层吸收光谱和三维电镜断层分析术工作发表在2016年的Advanced Electronic Materials上，论文链接：DOI:_10.1002_aelm.201600359

  高分子薄膜的光谱分析和形态结构分析一直是高分子物理研究的关键分析技术。尤其是沿着薄膜厚度方向不同位置处的吸收光谱直接和带隙、电子局域态能量分布、结晶度、分子取向等因素有关。因此从实验上获得薄膜亚层的光学和形态信息将有利于开发高性能高分子功能薄膜和新型电子器件。尽管        紫外可见吸收光谱被广泛应用于各类化学分析与材料表征，但是沿着薄膜厚度方向上的定量化吸收光谱分析仍然没有被解决。另外，虽然基于连续样品倾转可以获得无定形或者半结晶高分子薄膜材料的三维透射电镜显微图，然而，连续倾转实验需要昂贵的电镜设备。该研究开发了一种廉价的基于低气压放电等离子体刻蚀技术，通过求解连续Beer-Lambert方程获得了不同深度位置处的吸收光谱，进一步将该表面选择刻蚀方法应用于三维电镜显微重构，得到了具有较高分辨率的三维TEM显微图。基于该技术的原位成套仪器正在研发中。