虽然目前有机场效应晶体管（OFETs）在迁移率和开/关比方面的性能与商用硅晶体管相当，但环境稳定性仍然限制了它们的商业应用。申请人利用断层光谱分析技术研究了聚合物半导体薄膜在深度方向上的结晶度变化，通过软等离子体选择性刻蚀掉薄膜表面易被氧化的高结晶层，制备了亚层OFET器件，其空气稳定性提高了50%。（Chem. Mater., 2021, 33, 2673）该工作一发表即被编辑选为中文highlight，并推荐在ACS美国化学会微信公众号、XMol/微信平台推送，同时被高分子科技微信公众号转载，西安交通大学学术新闻板块也对该工作进行了报道http://news.xjtu.edu.cn/info/1033/133036.htm。