刘立军教授团队受邀参加第21届晶体生长与外延国际会议（ICCGE-21）
发布时间：2025-08-09
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- 刘立军教授团队受邀参加第21届晶体生长与外延国际会议（ICCGE-21）
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2025年8月3-8日，第21届晶体生长与外延国际会议（ICCGE-21）在中国西安举办，刘立军教授团队师生受邀参加并作报告交流和海报展示。
刘立军教授在会上作邀请报告，题目为Control of oxygen transport in single crystal growth of silicon by continuous-feeding Czochralski method，分享课题组在连续加料直拉单晶硅降氧技术方面的最新研究。
李早阳副教授在会上作邀请报告，题目为Numerical study of SiC Crystal Growth by Top-seeded Solution Growth Method，分享课题组在顶部籽晶溶液法制备SiC晶体方面的最新研究。
罗金平副研究员在会上作口头报告，题目为Configurational entropy in solid and liquid silicon，分享课题组在硅晶体生长分子动力学方面的最新研究。
博士生王君岚在会上作口头报告，题目为Numerical Simulation of Coupled Internal Thermal Radiation and Anisotropic Thermal Conduction in β-Ga2O3 Crystal Growth by EFG，分享课题组在β-Ga2O3晶体生长中各向异性导热问题的最新研究。
此外，博士生祁超、王君岚，硕士生李登辇、钟泽琪、祁冲冲等还在海报展示环节和与会人员交流最新研究进展。
会议结束后，课题组师生与前晶体生长国际组织主席Kakimoto教授合影留念。
