基本信息 / Basic Information
- 电子邮箱： bd3eefe41e3f164e3da1afd9aba983d4fffd6e540d19200b43b32955a5555556f683c299389eea0613403efb4ba1897b7626b7a6409392e68c643957346eab0be2c1e662283d2dc5ecf827637b864c3c767a37354c2b56bfd3bfc1bda22ed648a63a211ab59aa10c9291adf07a9f1a49e6ff77596ece44ac9ab3bce841c16c28
- 所在单位： 电气工程学院
- 学历： 博士研究生毕业
- 性别： 男
- 学位： 博士
- 在职信息： 在职
- 毕业院校： 西安交通大学
- 博士生导师： 是
- 硕士生导师： 是
- 所属院系： 电气工程学院
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学科：
电气工程
一种碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块及其制备方法
- 专利名称：
- 一种碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块及其制备方法
- 发明设计人：
- 王来利 , 侯震鹏 , 孙立杰 , 赵成 , 裴云庆 , 杨旭 , 甘永梅 , 张虹
- 专利类型：
- 发明
- 申请号：
- CN202110302888.4
- 是否职务专利：
- 否
- 申请日期：
- 2021-03-22
- 发布时间：
- 2025-04-30
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