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Dual optimized Ti3C2Tx MXene@ZnIn2S4 heterostructure based on interface and vacancy engineering for improving electromagnetic absorption

发布时间:2022-09-29
点击次数:
发布时间:
2022-09-29
论文名称:
Dual optimized Ti3C2Tx MXene@ZnIn2S4 heterostructure based on interface and vacancy engineering for improving electromagnetic absorption
发表刊物:
Chemical Engineering Journal (通讯作者)
摘要:
电磁吸波材料的界面和空位工程已被证明是提高电磁吸波性能的两种有效策略。在此,制备了具有可调界面/空位结构的Ti3C2Tx MXene/ZnIn 2 S 4异质结构,并通过双重优化实现了可控的电磁特性。MXene 的插层纳米界面设计是通过 ZnIn2S4的超薄二维纳米片结构实现的, 空位结构设计是通过调节 S 空位的浓度来实现的。受益于界面/空位双重优化的协同效应,异质结构的能带结构和电子传输得到适应,界面和偶极极化效应得到改善。异质结构的有效吸收带宽达到 4.8 GHz(~1.5 mm),最小反射损耗为 -38.5 dB。结果表明,合理的界面和空位结构设计不仅可以通过调节能隙来影响导电损耗,还可以通过界面和偶极极化来改善极化损耗。此外,MXene 与 ZnIn2S 4之间的相互作用还促进载流子迁移,使异质结构表现出很强的抗菌活性。这种界面/空位双重优化方法为多功能器件领域中多功能电磁吸收材料的开发提供了有价值的方向。
是否译文:
发表时间:
2022-09-29
收录刊物:
SCI