Radiation Effect on the Electron Transport Properties of SiO2/Si Interface: Role of Si Dangling-Bond Defects and Oxygen Vacancy
发布时间：2025-04-30
点击次数：
- 发布时间：
- 2025-04-30
- 论文名称：
- Radiation Effect on the Electron Transport Properties of SiO2/Si Interface: Role of Si Dangling-Bond Defects and Oxygen Vacancy
- 发表刊物：
- 2018 IEEE 2ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON DIELECTRICS (ICD 2018)
- 合写作者：
- 渠广昊，闵道敏，赵中华，Michel Fréchette，李盛涛
- 页面范围：
- 8468353
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-09-13