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基本信息

王若铮

职称:副教授

所在单位:电子科学与工程学院宽禁带半导体材料与量子器件研究所—电子物理与器件教育部重点实验室

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办公地点:兴庆校区教二南楼214室

论文成果

Breakdown voltage enhancement of vertical diamond Schottky barrier diodes by selective growth nitrogen-doped diamond field plate.

发布时间:2025-04-30

论文名称:
Breakdown voltage enhancement of vertical diamond Schottky barrier diodes by selective growth nitrogen-doped diamond field plate.
合写作者:
Li, Q.; Wang, J.; Chen, G.; He, S.; Zhang, Q.; Zhang, S.; Wang, R.; Fan, S.; Wang, H.
是否译文:
否
发表时间:
2023-10-10