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基于0.13um SiGe BiCMOS工艺的片上滤波器被IEEE EDL录用
发布者: 徐开达 | 2020-09-28 | 779

与悉尼科技大学朱熹博士合作,研制了一种基于锗化硅工艺的片上宽带带通滤波器。已被IEEE Electron Device Letters录用。

Kai-Da Xu, Xi Zhu, Yang Yang, and Qiang Chen, “A broadband on-chip bandpass filter using shunt dual-layer meander-line resonators,” IEEE Electron Device Lett., 2020. DOI: 10.1109/LED.2020.3027734