发表论文 - 刘 志远
论文标题 | 真空断路器容性电流开断及弧后重击穿现象 |
作者 | 杨和,孙丽琼,刘志远,耿英三 |
发表/完成日期 | 2009-12-14 |
期刊名称 | 中国电工技术学会电气智能化系统及应用委员会论文集 |
期卷 | 2009年12月 |
相关文章 | 89 真空断路器容性电流开断及弧后重击穿现象.pdf |
论文简介 | 中压配电系统中真空断路器广泛应用于投切电容器组。关合过程中会产生高频率涌流,其预击穿 电弧会烧蚀触头表面并使触头发生熔焊;开断电容器组时,开断电流只有几百A,但是熔焊区会形成微 突起甚至于破裂,触头两端会承受容性恢复电压【厶(1一COScot),其峰值会达到2倍系统电压己厶(开 断单相电容器组),这使真空断路器弧后偶尔会发生重击穿,甚至于开断电流过零几百ms后会发生延 时重击穿现象。其原因与投切过程产生的高频涌流,开断电流,恢复电压密切相关。目前对击穿机理主 要有两种解释:场致发射引发重击穿和微粒导致重击穿。 |