研究成果 - 胡 龙
| 论文标题 | 作者 | 发表/完成日期 | 期刊名称 |
|---|---|---|---|
| Pd/Ge/Ti/Pt/Au Metal Stack on Semi-Insulating Gallium Arsenide: Ohmic Contact and Temperature Dependence | Yingxiang Yang , Xianghong Yang , Kang Liu , Jia Huang, Yue Sun , Xin Li , Long Hu* , Weihua Liu , Chuanyu Han, and Xiaoli Wang | 2023-09-01 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| Modeling and Simulation of Fe-Doped GaN PCSS in High-Power Microwave | Jia Huang, Long Hu* , Xianghong Yang , Yue Sun , Xin Li, and Chunliang Liu | 2023-07-01 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| Investigation of Delay Jitter of Avalanche GaAs PCSS for Triggering High-Voltage Gas Switch | Li Zhu , Long Hu* , Xin Shen, Xin Dang, Yue Sun , Xin Li, Chuanyu Han, and Weihua Liu | 2023-05-01 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| Si3N4 Passivation and Side Illumination of High-Power Photoconductive Semiconductor Switch Based on Free-Standing SI-GaN | Xianghong Yang , Long Hu* , Xin Dang, Xin Li* , Weihua Liu, Chuanyu Han, and Song Li | 2023-02-22 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| 专利名称 | 申请号 | 专利类型 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种匀化平面型光导开关电场的外导体电极结构及光导开关器件和方法（已授权） | CN202011433128.9 | 发明 | 2020.12.09 |
| 一种基于石墨烯界面层的异面结构GaAs光导开关及其制备工艺(已授权) | CN201911368860.X | 发明 | 2019.12.26 |
| 一种基于石墨烯界面层的体结构GaAs光导开关及其制备工艺（已授权） | CN201911368897.2 | 发明 | 2019.12.26 |
| 一种辐照腔中效应物内部场强的局部聚焦装置的构建方法（已授权） | CN201811527813.0 | 发明 | 2018.12.31 |
| 高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置及方法（已授权） | CN201510833941.8 | 发明 | 2015.11.25 |
(创新港)
