研究成果 - 胡 龙
| 论文标题 | 作者 | 发表/完成日期 | 期刊名称 |
|---|---|---|---|
| 基极触发的雪崩晶体管导通机理 | 王欢，乔汉青，程骏，胡龙*，李昕，王翔宇，方旭 | 2024-02-19 | 半导体技术 |
| Study on Photoelectric Efficiency and Failure Mechanism of High Purity 4H-SiC PCSS | Jia Huang, Long Hu*, Zhenzhen Ma, Li Zhu , Yingxiang Yang , Xianghong Yang , Yue Sun , Xin Li , and Chunliang Liu | 2023-11-01 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| The Critical State of GaAs Photoconductive Semiconductor Switch in a Capacitive Storage Loop | Long Hu*; Yue Sun; Li Zhu; Jia Huang; Jun Cheng; Xin Li; Yongdong Li | 2023-11-01 | IEEE Photonics Technology Letters |
| Analysis of the Avalanche Operation of a GaN Photoconductive Semiconductor Switch | Long Hu*, Jia Huang, Xianghong Yang , Xin Shen, and Yue Sun | 2023-11-01 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| 专利名称 | 申请号 | 专利类型 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种匀化平面型光导开关电场的外导体电极结构及光导开关器件和方法（已授权） | CN202011433128.9 | 发明 | 2020.12.09 |
| 一种基于石墨烯界面层的异面结构GaAs光导开关及其制备工艺(已授权) | CN201911368860.X | 发明 | 2019.12.26 |
| 一种基于石墨烯界面层的体结构GaAs光导开关及其制备工艺（已授权） | CN201911368897.2 | 发明 | 2019.12.26 |
| 一种辐照腔中效应物内部场强的局部聚焦装置的构建方法（已授权） | CN201811527813.0 | 发明 | 2018.12.31 |
| 高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置及方法（已授权） | CN201510833941.8 | 发明 | 2015.11.25 |
