1,介电常数k值系列化新型超低温烧结微波介质陶瓷材料。
组分
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烧结温度(℃)
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与Al
反应
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密度
(g/cm3)
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介电常数εr
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谐振频率f (GHz)
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品质因数Q×f(GHz)
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温度系数TCF(ppm/℃)
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Li2MoO4
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540
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No
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2.90 (95.5%)
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5.5
|
13.05
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46,000±1000
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-160±9
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Li2WO4
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650
|
No
|
4.34 (95.1%)
|
5.5
|
15.70
|
62,000±1000
|
-140±6
|
Li3InMo3O12
|
630
|
No
|
4.01 (96.2%)
|
9.8
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15.02
|
36,000±3,000
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-70 ±4
|
Li2Zn2Mo3O12
|
630
|
No
|
4.27 (96.0%)
|
11.1
|
14.63
|
70,000±5,000
|
-90±7
|
Li8Bi2Mo7O28
|
540
|
No
|
4.29 (95.7%)
|
13.6
|
9.21
|
8,000±400
|
-60±5
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Bi2Mo3O12
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610
|
No
|
5.76 (93.0%)
|
19
|
7.58
|
21,800±800
|
-210±8
|
(KBi)1/2MoO4
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630
|
No
|
4.88 (95.0%)
|
37
|
7.50
|
4,000±300
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+120±3
|
Bi2Mo2O9
|
620
|
No
|
6.25 (96.1%)
|
38
|
6.30
|
12,500±500
|
+30±3
|
(LiBi)0.5MoO4
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560
|
Yes
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5.48 (96.7%)
|
44.4
|
5.52
|
3,200±300
|
+250±10
|
(Li,Bi)(Mo,V)O4
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650
|
No
|
>95%
|
81
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3.75
|
8,000±400
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-90~+9.7
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4, 高品质因数微波介质陶瓷材料的研发。
在现代通信中,微波介质陶瓷被广泛地应用在谐振器、滤波器、介质基板、介质天线和介质波导回路等领域中。本课题组近年来开发了一系列拥有自主知识产权的低、中、高介电常数的微波介质陶瓷材料体系,性能列表如下:
K12~K15, 40,000 GHz<Qf<50,000 GHz, TCF<±10 ppm/oC, 1250oC <S.T.<1300 oC;
K16~K24, 40,000 GHz<Qf<85,000 GHz, TCF<±10 ppm/oC, 1250oC <S.T.<1350 oC;
K32~K35, 45,000 GHz<Qf<55,000 GHz, TCF<±10 ppm/oC, 1250oC <S.T.<1350 oC;
K43~K45, 30,000 GHz<Qf<45,000 GHz, TCF<±15 ppm/oC, 1350oC <S.T.<1450 oC;
K65~K82, 9,000 GHz<Qf<14,000 GHz, TCF<±15 ppm/oC, 1300oC <S.T.<1400 oC;
陶瓷样品宏观图片