课题组参加“第8届全国ZnO学术会议”并做口头报告和墙报
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发布时间：2017-11-01
发布时间：2017-11-01
文章标题：课题组参加“第8届全国ZnO学术会议”并做口头报告和墙报
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课题组贺永宁教授、彭文博讲师、周磊簜博士研究生、潘子健博士研究生和李芳沛博士研究生一行五人于2017年10月29日~10月31日在广西南宁参加了“第8届全国ZnO学术会议”。该学术会议旨在围绕第三代宽禁带半导体材料ZnO，讨论ZnO相关的材料生长表征、器件研究等相关内容。在会议的第一天，大会主席王中林院士做了题为“Piezotronics and Piezo-phototronics: from fundamental effects to artificial intelligence”的大会报告，系统地介绍了压电电子学（piezotronics）和压电光电子学（piezo-phototronics）的最新研究进展及其未来拥有的巨大意义。
在分会场上，课题组贺永宁教授做了题为“基于高阻ZnO半导体的X射线探测器件”的口头报告，介绍了本课题组在ZnO半导体用于X射线探测领域的研究进展。
我也在分会场上做了题为“Enhanced performance of a self-powered organic/inorganic photodetector by pyro-phototronic and piezo-phototronic effects”的口头报告，介绍了一种新型的由光自己诱导产热所导致的热释电效应对光电探测器性能进行调制的效应，并将其与压电光电子学效应进行了结合，进一步提高了光电探测器的性能。
此外，课题组周磊簜博士研究生还做了题为“自补偿高阻ZnO 半导体光电导器件的深能级缺陷效应研究”的墙报，引起了与会者对于自补偿掺杂实现高阻ZnO半导体这一工艺方法的热烈讨论。