Improving electron mobility in MoS2 field-effect transistors by optimizing the interface contact and enhancing the channel conductance through local structural phase transition
发布时间：2025-11-22
点击次数：
- 发布时间：
- 2025-11-22
- 影响因子：
- 6.4
- DOI码：
- 10.1039/d3tc04605b
- 论文名称：
- Improving electron mobility in MoS2 field-effect transistors by optimizing the interface contact and enhancing the channel conductance through local structural phase transition
- 发表刊物：
- Journal of Materials Chemistry C
- 合写作者：
- Wang, Chang'an,Liu, Xuan,Du, Yongbo,Li, Debo,李德波
- 第一作者：
- Lv, Qiang
- 论文类型：
- 期刊论文
- 文献类型：
- J
- 卷号：
- 12
- 期号：
- 8
- 页面范围：
- 2794-2802
- ISSN号：
- 2050-7526
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2024-02-22
- 收录刊物：
- SCI、SCI