钛酸锶（SrTiO₃）作为典型的钙钛矿氧化物，在常温下具有中心对称结构，不具备压电性，也难以通过外场诱导铁电相变。然而，挠曲电效应作为一种由应变梯度诱发电极化的普适性机制，为在中心对称材料中实现力-电耦合提供了可能。尽管挠曲电效应存在于所有电介质中，但其在块体材料中的挠曲电系数通常较低，严重制约了实际应用。近年来，位错工程被视为调控材料功能特性的新兴手段。位错作为晶体中一类典型的线缺陷，其周边区域会形成显著的局域应变梯度；从理论层面而言，该局域应变梯度能够有效调控并增强材料的挠曲电响应。然而，在脆性陶瓷中引入高密度位错而不引发裂纹仍极具挑战。

课题组王昊轩等在国际权威期刊《Journal of the American Ceramic Society》上发表了题为“Dislocation tuned flexoelectricity in single crystal SrTiO₃”的文章。该研究通过室温循环布氏压痕技术，在SrTiO₃单晶的（001）、（110）和（111）三种取向上成功实现了位错密度的可控引入。实验表明，随着压痕循环次数的增加，材料挠曲电系数呈现显著增强，最大提升达六倍。研究进一步结合电镜观测与电学性能测试，揭示了不同晶向中位错构型与挠曲电响应之间的内在关联，并发现位错诱导的类金属导电行为与挠曲电增强具有协同演化趋势。该工作为通过微观缺陷工程调控宏观力‑电性能提供了新思路，推动了中心对称材料在智能传感与机电耦合器件中的应用潜力。