发布时间：

2026-06-12

影响因子：

1.494

DOI码：

10.1088/1674-1056/21/8/087101

论文名称：

Electronic and structural properties of N-vacancy in AlN nanowires: A first-principles study

发表刊物：

Chinese Physics B

合写作者：

Guang-De Chen, Hong-Gang Ye, Ye-Long Wu, Hai-Bo Niu, You-Zhang Zhu

第一作者：

Zhi-Juan Qiao

卷号：

21

期号：

8

页面范围：

087101

ISSN号：

1674-1056

是否译文：

否

发表时间：

2012-08-01