Relaxation models of the (110) zinc-blende III-V semiconductor surfaces: Density functional study
发布时间：2026-06-12
点击次数：
- 发布时间：
- 2026-06-12
- 影响因子：
- 4.036
- DOI码：
- 10.1103/PhysRevB.78.193308
- 论文名称：
- Relaxation models of the (110) zinc-blende III-V semiconductor surfaces: Density functional study
- 发表刊物：
- Physical Review B
- 合写作者：
- Guangde Chen,伍叶龙, Youzhang Zhu, Su-Huai Wei
- 第一作者：
- Honggang Ye
- 卷号：
- 78
- 期号：
- 19
- 页面范围：
- 193308
- ISSN号：
- 1098-0121
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2008-11-17