An Accurate Analytical Switching Transient Model for GaN HEMT Operating at Cryogenic Temperature
发布时间：2026-06-10
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- 发布时间：
- 2026-06-10
- 论文名称：
- An Accurate Analytical Switching Transient Model for GaN HEMT Operating at Cryogenic Temperature
- 发表刊物：
- IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics
- 合写作者：
- 何言杰，陈子龙，张煜坤，王昱东，焦鹏飞，王高翔，韦玉麒
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2025-10-17