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Achieving Forming-Free NbOx Mott Memristors With High Performance Through Lithium Intercalation
发布时间：2026-07-09
- 论文名称：
- Achieving Forming-Free NbOx Mott Memristors With High Performance Through Lithium Intercalation
- 发表刊物：
- IEEE Transactions on Electron Devices
- 合写作者：
- G. Zhang*, C. Gong, S. Zhao, Y. Yuan, S. Fan, J. Hu, X. Li, W. Liu, L. Geng,C. Y. Han*
- 第一作者：
- Y. Wang
- 论文类型：
- 期刊论文
- 卷号：
- 72
- 期号：
- 7
- 页面范围：
- 3605-3610
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2025-01-01
