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Effect of γ-Ray Irradiation on the Electrical Performance of SiC Junction Barrier Schottky Diodes
发布时间：2026-07-09
- 论文名称：
- Effect of γ-Ray Irradiation on the Electrical Performance of SiC Junction Barrier Schottky Diodes
- 发表刊物：
- IEEE Transactions on Electron Devices
- 合写作者：
- Y. Cao, C. Chen, L. Zhou*, L. Geng, W. Liu, X. Li, G. Xu*, S. Long,C. Y. Han*
- 第一作者：
- S. Zhong
- 论文类型：
- 期刊论文
- 页面范围：
- 1-8
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2025-01-01
