9月13-14日，“2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会（CASICON 2021）”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办，并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。

 会上，西安交通大学副教授李强做了题为“大面积hBN薄膜制备及电阻开关特性研究”的主题报告，从大面积hBN薄膜的制备、hBN薄膜的表征、hBN薄膜的应用等角度详细分享了研究成果。报告指出，通过三明治结构的设计进行电阻开关特性的测试，从实验上验证了磁控溅射制备大面积氮化硼薄膜具有电阻开关行为，为BN作为RRAM材料奠定了基础。