磁电氧化物单晶薄膜具有优异的铁电、压电、铁磁性能，是开发新型传感、存储和微波信号处理芯片等的关键材料。传统氧化物单晶薄膜依赖特定单晶衬底、沉积温度高，与CMOS工艺不兼容，这限制其集成芯片的应用开发。柔性自支撑氧化物单晶薄膜能够脱离外延生长所必须的单晶衬底，进而可与其他任意衬底集成，并且还展现出超常的力/电/磁性能。我们致力于开发超弹超柔的自支撑磁电氧化物单晶薄膜，探究其奇异的力/电/磁特性与微观机理，发展自支撑薄膜向硅片/柔性衬底异质集成新方法，开发高柔性、高性能的集成磁电、压电传感芯片等，应用于电力电子、柔性穿戴、健康监测等领域。代表性成果包括：

Nature Communications, 2024, 15(1): 4414

Advanced Materials, 2023: 2300962.

Advanced Functional Materials, 2023: 2213668.

Advanced Functional Materials, 2023: 2302683.

Advanced Science, 2023: 2301057.

Science Advances, 2020, 6(34): eaba5847