第一作者：戴欣    Small，2023, 2302267

原文链接：https://doi.org/10.1002/smll.202302267

摘要：

硫的低电导率和多硫化锂的穿梭效应(lips)是限制锂硫电池(LSBs)应用的两个重要障碍。在本工作中，我们将具有硫空位的NiCo2S4纳米片生长在碳纤维(CNF)膜上构建了NiCo2S4-x/CNF阵列，通过这一功能性自支撑中间层以提高Li-S电池的性能。在该结构中，导电CNF骨架具有无纺布结构，可以有效地降低阴极电阻，缓冲充放电过程中的体积膨胀。CNF与NiCo2S4纳米片直接的原位键合作用保证了快速的电子转移。此外，NiCo2S4中的硫空位增强了对多硫化物（LiPSs）的化学吸附，空位处的高活性位点可以加速LiPSs的化学吸附及其转化动力学。装配了NiCo2S4-x/CNF中间层的LSB在0.2下500次循环获得了很好的稳定性，在3C下可以循环3000次并保持较高的比容量。更重要的是，该策略实现了高硫面载量，达到10.8 mg cm−2，电解质与硫(E/S)比低至4.8，电池的面积容量高达9.69 mAh cm−2。这项工作为硫空位在Li-S电池催化剂的设计提供了一个思路，并给缺陷工程在Li-S电池中的应用展示了一个有前途的方向。