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祝贺博士生王延昆的工作发表于Nanotechnology上
发布者: 牛刚 | 2020-02-20 | 11289

 博士生王延昆的题为“Reliable resistive switching of epitaxial single crystalline cubic Y-HfO2 RRAMs with Si as bottom electrodes”的工作发表于期刊Nanotechnology上。祝贺他!https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab72b6