论文与专利 - 胡 文波
出版物 | 作者 | 出版日期 | 出版社 |
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GB/T 22181-24-2016 等离子体显示器件 第2-4部分 数字电视机用器件特性测量方法 | 邓新群,胡文波,王平松,赵晓东,王丽雯,黄长戈,唐礼,黄卫东 | 2016-11-01 | 中国标准出版社 |
GB/T 22181-6-2015 等离子体显示器件 第6部分: 数字电视机用等离子体显示器件空白详细规范 | 邓新群,胡文波,王平松,赵晓东,王丽雯,黄长戈,唐礼 | 2016-11-01 | 中国标准出版社 |
GB/T 22181.5-2015 等离子体显示器件 第5部分:总规范 | 邓新群,胡文波,王平松,赵晓东,王丽雯,黄长戈,唐礼 | 2015-06-02 | 中国标准出版社 |
SJ/T 11378-61-2015 等离子体显示器件 第6-1部分:数字电视机用彩色等离子体显示器件详细规范 | 王平松、胡文波、唐礼、邓新群、蒋孝荣、宋国武、王文东、高宏伟、邢晓玲 | 2015-04-01 | 中国标准出版社 |
SJ/T 11378.7-2015 等离子体显示器件 第7部分:数字电视机用等离子体显示器件可靠性试验方法 | 王平松、胡文波、唐礼、邓新群、蒋孝荣、宋国武、王文东、高宏伟、邢晓玲 | 2015-04-01 | 中国标准出版社 |
GB/T 22181.1-2008 等离子体显示器件 第1部分:术语与文字符号 | 胡文波,刘纯亮,王幼林 | 2008-09-01 | 中国标准出版社 |
平板显示技术 | 应根裕,胡文波,邱勇 等 | 2002-11-01 | 人民邮电出版社 |
专利名称 | 申请号 | 专利类型 | 申请日期 |
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一种金刚石基氮化镓复合晶片及其键合制备方法 | 2020105866928 | 发明 | 2020.07.01 |
一种降低铝基材料二次电子发射系数的表面处理方法 | 202010214903.5 | 发明 | 2020.03.24 |
一种用于电子倍增器快速精确装配的工装及装配方法 | 2019110633056 | 发明 | 2019.10.31 |
一种表面活化过程中高速氩原子束获得装置及获得方法 | 2019108126547 | 发明 | 2019.08.30 |
一种用于抑制二次电子发射的碳基薄膜及其制备方法 | 2019106220050 | 发明 | 2019.07.10 |
一种金刚石输能窗及其制备方法 | 2019105449861 | 发明 | 2019.06.21 |
一种金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管异质集成方法 | 2019102225727 | 发明 | 2019.03.22 |
一种电子倍增器的结构及组装方法 | 2018110459572 | 发明 | 2018.09.07 |
用于氮化镓和金刚石直接键合的生产设备 | 201821062676.3 | 实用新型 | 2018.08.01 |
一种氮化镓/金刚石的直接键合方法 | 201810732475.8 | 发明 | 2018.08.01 |
金属与氧化锌掺杂氧化镁二次电子发射薄膜及其制备方法 | 2018101835124 | 发明 | 2018.03.06 |
一种氧化镁金属陶瓷二次电子发射薄膜及其制备方法 | 2017112404156 | 发明 | 2017.11.30 |
掺杂金属和氧化铝的氧化镁二次电子发射薄膜及其制备方法 | 2017109428600 | 发明 | 2017.10.11 |
一种二次电子发射薄膜的缓冲层及其制备方法 | 2016110973425 | 发明 | 2016.12.02 |
打拿极结构及基于该打拿极结构的弧形打拿极电子倍增器 | 2015108086274 | 发明 | 2015.11.19 |
一种打拿极薄膜结构及基于打拿极薄膜结构的电子倍增器 | 2015108086289 | 发明 | 2015.11.19 |
一种多层表面传导电子发射源结构及其制备方法 | 2015108084368 | 发明 | 2015.11.19 |
一种用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法 | 2015102559804 | 发明 | 2015.05.19 |
一种表面传导电子发射源结构及其制作方法 | 201510036036X | 发明 | 2015.01.23 |
一种动态多级串联同轴碟型通道打拿级电子倍增器 | 2014106416701 | 发明 | 2014.11.13 |