王宏兴教授长期从事宽禁带半导体材料、器件、设备的研发，早期曾在日本德岛大学酒井士郎教授团队参与氮化镓 MOCVD 生长技术的研究，成功开发出单片和六片 MOCVD，研发出了高亮度的氮化镓 LED，并被日本丰田合成等公司量产。参加了日本产、学、研联合研发与量产大面积单晶金刚石衬底的项目，负责开发出两种类型六种系列 MPCVD 设备和工艺，量产了 1 英寸单晶金刚石衬底。2013 年9 月以国家特聘专家回国在西安交通大学成立“宽禁带半导体研究中心”，主要从事单晶金刚石设备、材料和器件的研发。实现宽禁带半导体从材料生长、器件设计、性能表征整个平台的建设。

近五年来在Carbon、Appl Phys Lett、Diam Relat Mater、Optical Express、Laser & Photonics Reviews等国际著名期刊发表论文100余篇。申报相关国际、国内发明专利120项，并逐步把专利上升为行业或国家技术标准。所在的学科为国家双一流学科，2017年被评为国家A-学科。

作为“单晶金刚石及其电子器件泛太平洋研发与产业化联盟”的召集人，发起主办“单晶金刚石其电子器件国际会议（SCDE）系列年会以及主持 “第十届新型金刚石与纳米碳材料国际会议（NDNC2016），推动了国内外单晶金刚石其电子器件的发展。