基于0.13um SiGe BiCMOS工艺的片上滤波器被IEEE EDL录用 - Welcome - 徐 开达
基于0.13um SiGe BiCMOS工艺的片上滤波器被IEEE EDL录用
与悉尼科技大学朱熹博士合作,研制了一种基于锗化硅工艺的片上宽带带通滤波器。已被IEEE Electron Device Letters录用。
Kai-Da Xu, Xi Zhu, Yang Yang, and Qiang Chen, “A broadband on-chip bandpass filter using shunt dual-layer meander-line resonators,” IEEE Electron Device Lett., 2020. DOI: 10.1109/LED.2020.3027734
新
News List
闻列表
-
2024
03-29
-
2024
01-19
-
2023
11-24
-
2023
08-13
-
2023
03-28
-
2023
01-11