论文《Recent advances in chemical mechanical polishing technologies of silicon carbide》被《Fine Chemical Engineering》接收。

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料，其表面质量要求非常高，是工程应用中的重要指标。化学机械抛光(CMP)是能实现表面整体平整和无损伤的技术。本文综述了传统CMP、浆料作用和硅基复合CMP的研究进展。介绍了CMP的原理和最新发展。总结了CMP技术在碳化硅应用中存在的不足，并展望了CMP技术未来的发展趋势。