Research Fields

1非等温阳极键合工艺研究:提出了非等温阳极键合工艺,利用温度梯度使碱金属在远离气室阳极键合界面的位置凝结,如图1a)所示,以便在没有碱金属蒸汽干扰的情况下成功地进行阳极键合,该方法显著提高了低温键合密封MEMS碱金属原子气室的成功率,解决了国际上微加工碱金属原子气室键合时碱金属蒸发至键合界面导致键合失败的难题。相关成果发表在期刊Journal of Materials Research and TechnologyIF=6.4)上。

2基于混合等离子体活化的低温复合键合工艺研究:硅-玻璃晶圆键合是目前MEMS气室最重要的封装工艺,对于MEMS碱金属原子气室的封装主要有以下要求:一是需要在无水无氧的环境中进行键合;二是键合温度应尽量低,最好低于OTS的失效温度(170℃);三是键合强度要足够高,以保证气室的气密性。但目前的低温键合工艺仍然无法同时满足以上MEMS碱金属原子气室的封装要求。因此针对MEMS气室的封装需求,提出了基于微观间隙闭合机制的混合等离子体活化低温复合键合工艺,如图1b)所示,经等离子体活化硅-玻璃键合表面后,先进行阳极键合实现初步密封,再进行直接键合实现间隙闭合以提高键合强度,实现了微加工原子气室在无水无氧低温环境下的高强度封装(图1c))。该工艺使得硅-玻璃键合温度从典型的350℃降至150℃,进而兼容OTS抗弛豫薄膜的失效温度,解决了国际上MEMS气室集成OTS抗弛豫涂层的难题。相关成果发表在期刊Chemical Engineering JournalIF=16.744)上。

图1

3单光路微加工原子气室的设计与制造工艺研究搭建了气室的一体化加工平台,如图2ab)所示,集成键合、碱金属注入、惰性气体充入、稀有气体回收和循环利用等功能,极大的降低了需要充入同位素富集稀有气体的微加工气室的制造成本,并基于非等温键合工艺和复合键合工艺制造了单光路微加工碱金属原子气室,如图2c)所示。

图2

4正交光路MEMS碱金属原子气室设计与制造:首次提出了晶圆级精密内侧面模压技术,如图3a)所示,用以处理激光打孔后玻璃的粗糙内侧壁,使其满足气室光学通道的要求。通过高精度模具与玻璃孔之间的热膨胀挤压成型,将粗糙玻璃孔侧面模压成符合气室光学通道要求的平面。如图3cd)所示,模压后的原子气室内侧壁在所需的近红外激光波段透过率约为89%,平均表面粗糙度为22 nm,面型精度为283 nm,解决了毫米级玻璃孔光学侧壁的批量制造难题。基于所提出的键合工艺和搭建的一体化加工平台,批量制造了正交光路微加工碱金属原子气室,如图3b)所示。搭建了正交光路原子气室的测试平台,通过对不同泵浦-探测方案下的FID信号的测量和比较,证明了所制造的具有正交光路的MEMS碱金属原子气室满足正交光路原子器件的需求。以上工作发表在中国工程院期间期刊EngineeringIF=12.8)上。

5搭建了基于正交光路MEMS碱金属原子气室的Rb-129Xe-131Xe共磁计,获得了500 fT/Hz1/2的灵敏度,如图3e)和(f)所示。证明了批量制造的正交光路MEMS碱金属原子气室在保证量子器件的性能的同时还将极大推动相关微型量子器件的批量应用。

图3

6基于微扰动理论分析了微加工气室中131Xe核自旋与气室壁的四极相互作用(图4a)和(b)),研究了所制造的单光路MEMS气室中131Xe核自旋与硅侧壁碰撞时的四极频移和弛豫性质,为更好地理解硅的表面性质提供了依据。阐明了硅-玻璃材料表面129Xe131Xe核自旋弛豫随温度指数变化的规律,首次测得了131Xe与硅表面的解析活化能和平均均方扭角等关键参数。对所制造的具有正交光路的MEMS立方体腔体原子气室中131Xe原子弛豫和NQR频移进行了系统研究。测量不同温度下129Xe131Xe的弛豫时间,得到了129Xe弛豫率与碱金属原子数密度的线性依赖关系和131Xe弛豫率随温度先呈指数减小后增大的变化规律(图5b))。阐明了电四极矩对磁场方位角的余弦依赖规律,如图4c)所示。为提高微加工原子气室核自旋弛豫时间提供了指导。以上工作发表在期刊物理学期刊Journal of Physics D: Applied PhysicsIF=3.4)上。

图4

Team Name

(1)高性能三轴温振复合传感芯片研究

针对国家智能高铁对传感器提出的新型测量需求,和目前传感器核心元件仍高度依赖进口的现状,开展针对高铁转向架温振复合测量的研究,提出了基于压阻梁纯轴向变形的MEMS温振集成传感器芯片,如图5a)所示。突破了压阻梁与位置无关的纯轴向变形理论,质量块新型互锁结构,单片集成三轴加速度测量及信号解耦机理等关键技术。设计并优化温振复合敏感芯片的制备工艺流程,分析关键制备工艺参数对传感器敏感性能的影响规律;分析了制备工艺过程产生的残余应力及其对传感器稳定性的影响,制备了稳定可靠的温振复合敏感芯片。经过测试和标定,实现了0~100g三轴压阻式加速度芯片的国际最高灵敏度,如图5bc)所示,三轴灵敏度均大于2.4 mV/g/5V,三轴固有频率均大于11 kHz。该研究相关成果发表在顶级期刊IEEE Transactions on Industrial ElectronicsIF=8.162)、Microsystems & NanoengineeringIF=8.006)和Measurement Science and TechnologyIF=2.4)上。

图5

(2)高性能压阻式三轴冲击加速度芯片研究

针对侵彻武器爆炸引信和超高音速武器的冲击振动信号实时监测需求,开展量程为20g的新型压阻式三轴冲击加速度传感器研究,以提高侵彻多层硬目标武器引信自适应起爆控制能力和可靠性。突破了具有超高固有频率(大于1.5MHz)、高灵敏度(1.1μV/g/5V)和低交叉灵敏度三轴冲击加速度计,超高抗过载能力(35g),高强度小型化芯片封装等关键技术,如图6所示。其超高的固有频率和灵敏度超过国外禁运同类产品,达到当前国际顶尖水平。主要成果如图7所示,该成果已成功与苏州航凯微电子技术有限公司签订产业转化合同。

图6

Academic Exchange

1.天临空地车轨道交通系统新型集成传感技术研究,国家重点研发计划子课题,主要参研人员,2016 7 -2020 6 月,项目经费:70 万元,已结题。
2.一体化***研究,国防科技创新特区项目子课题,主要参研人员,2018 10 -2021 6 月,项目经费:500 万元,已结题。
3.MEMS 抗弛豫碱金属气室及其封装技术,国家重点研发计划子课题,主要参研人员,2019 07 -2021 12 月,项目经费:218 万元,已结题。
4.精细监测小型化复合传感器研制,国家重点研发计划课题,主要参研人员,2021 11 -202411 月,项目经费:830 万元,在研。
5.光声量子纠缠调控机理及加速度传感器研制,国家重点研发计划子课题,参研人员,2023 01 -2025 12 月,项目经费:40 万元,在研

Research Team

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