课题组成立于2020年09月，依托西安交通大学微电子学院院士工作室，具备半导体器件工艺制备和功率器件表征所需条件实验条件。课题组面向国家重大需求，开展（超）宽禁带半导体功率器件及其应用和核辐射探测技术研究，与西北核技术研究院、工信部第五研究所、中山大学等高校研究所及多家宽禁带半导体企业建立紧密战略合作关系。热切欢迎各大高校、研究所、企业团队协商合作。
研究主要包括（超）宽禁带半导体器件原理、仿真和制备，以及脉冲辐射场诊断工作，涉及电子科学与技术、核科学与技术与电气工程及其自动化等多学科交叉，主要为：
团队热切期待来自各个学科领域的同仁一齐开展研究工作，所需的学科人才不仅限于具备以下一种或几种知识储备：
基础物理：电路原理、凝聚态物理、电动力学、电介质物理、微波原理等；
应用物理：半导体器件物理、功率半导体器件、核辐射探测系统、核电子学、电力电子等；
欧阳晓平，院士，团队学术带头人
男，汉族，1961年1月出生，湖南宁远人。中共党员，中国工程院院士，实验核物理学家、核科学技术专家，少将军衔。现任西北核技术研究所研究员，博士生导师，中国工程院能源与矿业工程学部副主任。
我国最早将宽禁带半导体材料器件实用化的科学家之一，脉冲辐射场诊断技术研究专家。
周磊簜，负责人，2020.09 ~
师从欧阳晓平院士，跟随西北核技术研究院团队开展核辐射探测技术（核科学与技术）研究。本科就读于西安交通大学微电子学院，研究生参与微电子学院（电子科学与技术）与电气绝缘国家重点实验室（电气工程）联合项目，开展SiC晶闸管制备研究；曾获IMEC集成电路1 nm工艺研究博士后资2年资助offer，最终选择加西安交通大学入多相流国家重点实验室（工程热物理）开展博士后工作。
热烈欢迎有多学科背景的研究人员加入团队，携手开展研究工作。
课题组在读研究生
博士
宋昱杉，2023秋，“氧化镓低温超临界处理关键技术“
赵维嘉，2024秋，“新型GaN半导体核辐射探测技术“
硕士
陈浩，2022秋，”氧化镓二极管器件辐照损伤效应“
[1] 最具SCI论文2篇，已发表，学生一作；
[2] 第五届宽禁带半导体学术论坛，优秀Poster奖（Oral均为邀请报告）；
[3] 龙腾半导体奖学金，陈强校友基金会奖学金；
[4] SiC器件流片1次，主要参与人；
[5] 最具SCI论文1篇，在审，一作；
范婷婷（女），2022秋，”具有内增益功能的新型SiC半导体核辐射探测器“
[1] SiC器件流片1次，主要参与人；
[2] 申请发明专利1项，在审中，学生一作；
[3] 35届腾飞杯（校级） 铜奖
赵澎辉，2022秋，“氧化镓晶体辐照损伤效应”；材料学院跨学科培养
[1] 最具SCI论文1篇，在审，一作；
陈天乐，2023秋，“新型GaN半导体核辐射探测器及其集成应用“
[1] GaN器件流片，设计中；
白沛沛，2024秋，“新型频分复用核辐射探测技术”
翟朴瑜，2024秋，
陈小卓，2024秋，“SiC基内增益半导体核辐射探测技术“
张康博，2024秋，“氧化镓功率器件及其交流模块”
校外联合培养在读研究生
王晶（女），西北核技术研究院在职博士，2020秋，“新型SiC内增益半导体核辐射探测技术”
[1] 自然基金青年基金1项，主持；
[2] 某国防预研项目1项，主持；
[3] 最具SCI论文2篇，已发表，一作；
[4] 发明专利1篇，已授权，一作；
张斯龙，湘潭大学博士，2022年秋，“氧化镓半导体核辐射探测技术”
[1] 最具SCI论文2篇，已发表，一作；
[2] International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2024)，Oral 报告，柏林，一作；
毕业研究生
王明明，2021秋，专业型硕士，”ε-Ga2O3薄膜声表面波 X 射线探测器的制备与性能研究“
[1] 33届腾飞杯（校级） 优秀奖
[2] 赴美实习1个月；
栏目建设中。。。
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