“战略性电子器件”研究团队

课题组面向国家重大需求，开展（超）宽禁带半导体功率器件及其应用和核辐射探测技术研究，与西北核技术研究院等高校研究所建立紧密战略合作关系。

研究主要包括（超）宽禁带半导体器件原理、仿真和制备，以及脉冲辐射场诊断工作，涉及电子科学与技术、核科学与技术与电气工程及其自动化等多学科交叉，主要包括：

  1.  新型（超）宽禁带半导体核辐射探测技术
  2. （超）宽禁带半导体功率器件及其应用
  3. （超）宽禁带半导体材料及其器件辐照效应

课题组成立于2020年09月，依托西安交通大学微电子学院院士工作室，具备半导体器件工艺制备和功率器件表征所需条件实验条件，并独立有高性能服务器一台，B2902B高精密源表等测试表征设备。热切欢迎各大高校、研究所、企业团队协商合作。

 

团队需要来自各个领域的同学、同仁一齐开展研究，所需的学科人才不仅限于具备以下一种或几种知识储备：

基础物理：电路原理、通信原理、自动控制原理、固体物理、电动力学、电磁场、电介质物理等；

应用物理：半导体器件物理、功率半导体器件、半导体核辐射探测系统、核电子学、电力电子等；

团队成员

欧阳晓平，院士，团队学术带头人

男，汉族，1961年1月出生，湖南宁远人。中共党员，中国工程院院士，实验核物理学家、核科学技术专家，少将军衔。现任西北核技术研究所研究员，博士生导师，中国工程院能源与矿业工程学部副主任。

我国最早将宽禁带半导体材料器件实用化的科学家之一，脉冲辐射场诊断技术研究专家。

周磊簜，负责人，2020.09 ~

师从欧阳晓平院士，跟随西北核技术研究院团队开展核辐射探测技术（核科学与技术）研究。本科就读于西安交通大学微电子学院，研究生参与微电子学院（电子科学与技术）与电气绝缘国家重点实验室（电气工程）联合项目，开展SiC晶闸管制备研究；曾获IMEC集成电路1 nm工艺研究博士后资2年资助offer，最终选择加西安交通大学入多相流国家重点实验室（工程热物理）开展博士后工作。

热烈欢迎有多学科背景的研究人员加入团队，携手开展研究工作。

 

课题组在读研究生

博士

宋昱杉，2023秋，“氧化镓低温超临界处理关键技术“

赵维嘉，2024秋，“新型GaN半导体核辐射探测技术“

 

硕士

陈浩，2022秋，”氧化镓二极管器件辐照损伤效应“

[1] 最具SCI论文2篇，已发表，学生一作；

[2] 第五届宽禁带半导体学术论坛，优秀Poster奖（Oral均为邀请报告）；

[3] 龙腾半导体奖学金，陈强校友基金会奖学金；

[4] SiC器件流片1次，主要参与人；

[5] 最具SCI论文1篇，在审，一作；

范婷婷（女），2022秋，”具有内增益功能的新型SiC半导体核辐射探测器“

[1] SiC器件流片1次，主要参与人；

[2] 申请发明专利1项，在审中，学生一作；

[3] 35届腾飞杯（校级） 铜奖

赵澎辉，2022秋，“氧化镓晶体辐照损伤效应”；材料学院跨学科培养

[1] 最具SCI论文1篇，在审，一作；

陈天乐，2023秋，“新型GaN半导体核辐射探测器及其集成应用“

[1] GaN器件流片，设计中；

白沛沛，2024秋，“新型频分复用核辐射探测技术”

翟朴瑜，2024秋，

陈小卓，2024秋，“SiC基内增益半导体核辐射探测技术“

张康博，2024秋，“氧化镓功率器件及其交流模块”

 

校外联合培养在读研究生

王晶（女），西北核技术研究院在职博士，2020秋，“新型SiC内增益半导体核辐射探测技术”

[1] 自然基金青年基金1项，主持；

[2] 某国防预研项目1项，主持；

[3] 最具SCI论文2篇，已发表，一作；

[4] 发明专利1篇，已授权，一作；

 

张斯龙，湘潭大学博士，2022年秋，“氧化镓半导体核辐射探测技术”

[1] 最具SCI论文2篇，已发表，一作；

[2] International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2024)，Oral 报告，柏林，一作；

 

毕业研究生

王明明，2021秋，专业型硕士，”ε-Ga2O3薄膜声表面波 X 射线探测器的制备与性能研究“

[1] 33届腾飞杯（校级） 优秀奖

[2] 赴美实习1个月；

活动风采

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