TDDB Mechanism in a-Si/TiO2 Nonfilamentary RRAM Device
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发布时间：2025-04-30
发布时间：2025-04-30
论文名称：TDDB Mechanism in a-Si/TiO2 Nonfilamentary RRAM Device
发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
合写作者：Jigang Ma; Zheng Chai; Wei Dong Zhang; Jian Fu Zhang; John Marsland; Bogdan Govoreanu; Robin Degraeve; Ludovic Goux; Gouri Sankar Kar
卷号：Volume: 66, Issue: 1
页面范围：777 - 784
是否译文：否
发表时间：2018-12-02