我们与德国PDI研究所Stefan Fölsch课题组合作，利用STM原子操纵这种经典的“原子制造”技术，在InAs(110)表面构筑了由六个In+阳离子所诱导势阱构成的人工量子点，其能级展宽在4.5K温度下仅为 ~4 meV左右。态密度谱和局域态密度图展示这种量子点具有良好的全同性，即每个量子点的能级位置和展宽在meV精度相同，可以形成对称的氢分子型量子点分子。这种方法有望成为未来固态量子计算所需大规模耦合量子点阵列的一种重要的制造方式。

    该工作近期发表于Phys. Rev. Research 6, 013269.   (  https://doi.org/10.1103/PhysRevResearch.6.013269   ).