- Method of On-Line Rapid Fluid Density Measurement Using a Piezoresistive Micro-Cantilever,美国发明专利,授权号:US 13/658,639,授权日:2016.1.5,发明人:蒋庄德、张桂铭、赵立波等。
- 一种双腔MEMS碱金属气室及其制备方法,中国发明专利,申请号:202211604516.8,申请日:2022.12.13,发明人:赵立波、王延斌、秦广照、于明智、陈瑶、张赟、马银涛、路舜、郭举、杨萍、林启敬、王建鲁、张南、蒋庄德。
- 一种高频响微差压传感器芯片结构与制备方法,中国发明专利,申请号:2022108709881,申请时间:2022.07.22,发明人:韩香广、高漪、赵立波、皇咪咪、樊姝、陈科、尚钰杰、吴豫席、杨萍、王永录、王小章、王久洪、蒋庄德。
- 一种耐高压MEMS压力传感器封装结构和封装方法,中国发明专利,申请号:2022108220451,申请时间:2022.07.13,发明人:赵立波、樊姝、韩香广、皇咪咪、李支康、王李、高漪、尚钰杰、陈科、王小章、杨萍、王久洪、苏文斌、蒋庄德。
- 一种基于SOI工艺的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 202111595510.4,授权日:2022.11.11,发明人:赵立波、谭仁杰、高文迪、韩香广、卢德江、王路、李敏、董林玺、杨萍、林启敬、蒋庄德。
- 一种MEMS电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺,中国发明专利,授权号:ZL 202111595513.8,授权日:2022.11.11,发明人:赵立波、谭仁杰、韩香广、高文迪、李敏、陈瑶、董林玺、杨萍、王小章、王久洪、蒋庄德。
- 基于电容检测原理的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 202111592764.0,授权日:2022.11.11,发明人:赵立波、谭仁杰、黄琳雅、韩香广、高文迪、李敏、董林玺、王李、杨萍、王永录、蒋庄德。
- 一种压阻梁应力集中微压传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 202110462455.5,授权日:2022.12.30,发明人:赵立波、李学琛、韩香广、李伟、乔智霞、皇咪咪、徐廷中、杨萍、王李、陈翠兰、王鸿雁、关卫军、吴永顺、罗国希、王永录、魏于昆、山涛、蒋庄德。
- 具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 202110462410.8,授权日:2022.6.7,发明人:赵立波、李学琛、韩香广、乔智霞、皇咪咪、李伟、徐廷中、杨萍、高漪、王鸿雁、关卫军、吴永顺、李支康、朱瑄、王久洪、魏于昆、山涛、蒋庄德。
- 一种压阻式双轴加速度传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,申请号:202110150381.1,申请日期:2021.2.3,发明人:赵立波、贾琛、罗国希、于明智、韩香广、王路、杨萍、李支康、高文迪、陈瑶、王久洪、蒋庄德。
- 一种基于倒装芯片的温度压力集成传感器及其封装方法,中国发明专利,授权号:ZL 202010981260.7,授权日:2021.9.7,发明人:赵立波、王李、韩香广、李支康、邱煜祥、皇咪咪、陈翠兰、李学琛、杨萍、王鸿雁、王永录、吴永顺、魏于昆、山涛、蒋庄德。
- 一种基于电磁激励电磁检测的硅微谐振式表压传感器芯片,中国发明专利,授权号:ZL 202011140341.0,授权日:2021.9.7,发明人:赵立波、邱煜祥、王李、韩香广、李支康、皇咪咪、杨萍、朱楠、王淞立、赵虎、蒋庄德。
- 一种全有机材料制备的压电式柔性压力传感器及制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 202011035503.4,授权日:2021.8.13,发明人:赵立波、罗运运、夏勇、罗国希、李字平、李支康、张乾坤、林启敬、杨萍、蒋庄德。
- 一种石墨烯压力传感器及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 202010383731.4,授权日:2021.1.29,发明人:赵立波、李真、罗国希、李磊、罗运运、杨萍、卢德江、王永录、王久洪、蒋庄德。
- 一种原子磁强计的MEMS气室碱金属原子源选择方法,中国发明专利,授权号:ZL 202010403189.4,授权日:2021.5.28,发明人:赵立波、马银涛、罗国希、于明智、陈瑶、韩枫、李磊、杨萍、林启敬、卢德江、蒋庄德。
- 具有应力集中结构的压阻式压力传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 202010478838.7,授权日:2021.5.28,发明人:赵立波、皇咪咪、徐廷中、陈翠兰、李学琛、杨萍、卢德江、王鸿雁、吴永顺、魏于昆、山涛、蒋庄德。
- 一种内嵌拱形薄膜驱动的PMUT单元及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 202010537206.3,授权日:2021.3.16,发明人:赵立波、郭帅帅、徐廷中、李支康、杨萍、李杰、赵一鹤、刘子晨、蒋庄德。
- 一种梳齿式CMUTs流体密度传感器及其制备方法,中国发明专利,授权号:201810745339.2,授权日:2020.4.15,发明人:赵立波、李杰、李支康、卢德江、赵一鹤、张家旺、徐廷中、蒋庄德。
- 一种双H型受拉梁硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 201910065049.8,授权日:2020.3.31,发明人:赵立波、韩香广、李雪娇、卢德江、郭鑫、王鸿雁、吴永顺、赵玉龙、蒋庄德。
- 一种MEMS直拉直压式两轴加速度计芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 201710916278.7,授权日:2019.10.11,发明人:赵立波、于明智、蒋维乐、贾琛、李支康、王久洪、赵玉龙、蒋庄德。
- 多梁式单质量块面内双轴加速度传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 201710938806.9,授权日:2019.10.11,发明人:赵立波、贾琛、蒋维乐、于明智、李支康、王久洪、赵玉龙、蒋庄德。
- 基于CMUTs谐振式生化传感器的敏感功能层制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 201710318378.X,授权日:2019.3.12,发明人:赵立波、赵一鹤、夏勇、李支康、李杰、张家旺、李萍、蒋庄德。
- 一种支撑梁式MEMS复合传感器及其制备和测试方法,中国发明专利,授权号:ZL 201710330728.4,授权日:2019.5.21,发明人:赵立波、黄祥祥、夏勇、徐廷中、郭鑫、罗运运。
- 基于可动栅极式场效应晶体管的微力传感器及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 201710527246.8,授权日:2019.5.21,发明人:赵立波、高文迪、蒋庄德、李支康、赵玉龙、孙东。
- 一种基于面内谐振的MEMS流体密度传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 201710539077.X,授权日:2019.10.11,发明人:赵立波、胡英杰、黄琳雅、李支康、赵玉龙、蒋庄德。
- 一种基于面内谐振的MEMS流体黏度传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 201710538627.6,授权日:2019.10.11,发明人:赵立波、黄琳雅、胡英杰、李支康、赵玉龙、蒋庄德。
- 一种基于面内谐振的MEMS黏密度传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 201710855225.9,授权日:2019.4.12,发明人:赵立波、黄琳雅、蒋维乐、胡英杰、王久洪、李支康、苑国英、赵玉龙、蒋庄德。
- 一种分段质量块应力集中结构微压传感器芯片及制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 201510131116.3,授权日:2017.5.17,发明人:赵立波、徐廷中、蒋庄德等。
- 一种浮雕式岛膜应力集中结构微压传感器芯片及制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 201510130249.9,授权日:2017.3.29,发明人:赵立波、徐廷中、蒋庄德等。
- 一种多梁式双质量块加速度传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 201410012680.9,授权日:2017.2.22,发明人:赵立波、许煜、蒋庄德等。
- 一种自增强圆筒式双液体腔结构的耐高温超高压力传感器,中国发明专利,授权号:ZL 201410782608.4,授权日:2017.1.11,发明人:赵立波、郭鑫、薛方正等。
- 一种基于MEMS双加热器的热导率和热扩散系数传感器,中国发明专利,授权号:ZL 201310578646.3,授权日:2016.10.19,发明人:赵立波、陈闯、蒋庄德等。
- 一种微压力传感器及其制备与检测方法,中国发明专利,授权号:ZL 201410240293.0,授权日:2016.4.27,发明人:赵立波、李支康、蒋庄德等。
- 一种磨削力传感器及其测量方法,中国发明专利,授权号:ZL 201310736739.4,申请日:2013.12.26,授权日:2016.3.30,发明人:赵立波、乔智霞、薛方正等。
- 一种高温CMUT压力传感器及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 201310084858.6,申请日:2013.3.15,授权日:2016.2.24,发明人:赵立波、李支康、蒋庄德等。
- 一种磁激励压阻拾振式MEMS谐振器的主动频率调谐方法,中国发明专利,授权号:ZL 201310143659.8,申请日:2013.4.23,授权日:2016.1.13,发明人:赵立波、张桂铭、蒋庄德等。
- 基于CMUT的海洋生化物质监测传感器及其制备与测量方法,中国发明专利,授权号:ZL 201310364961.6,申请日:2013.8.20,授权日:2016.1.13,发明人:赵立波、李支康、蒋庄德等。
- 一种基于CMUT的温度传感器及其制备方法与应用方法,中国发明专利,授权号:ZL 201310084404.9,申请日:2013.3.15,授权日:2015.4.29,发明人:赵立波、叶志英、李支康、蒋庄德等。
- 一种采用压阻式微悬臂梁在线快速测量流体密度的方法,中国发明专利,授权号:ZL 201210093049.7,授权发文日:2014.1.29,发明人:赵立波、张桂铭、蒋庄德等。
- 一种用于痕量生化物质检测的CMUT及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 201110399567.7,授权发文日:2014.1.27,发明人:赵立波、李支康、蒋庄德等。
- 一种电容式微加工超声传感器及其制备与应用方法,中国发明专利,授权号:ZL 201210068766.4,授权发文日:2013.12.31,发明人:赵立波、李支康、蒋庄德等。
- 一种基于MEMS技术的热扩散率传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 201110401838.8,授权发文日:2013.11.27,发明人:赵立波、周睿、蒋庄德等。
- 一种复合式MEMS密度传感器,中国发明专利,授权号:ZL 201210126237.5,授权日:2013.11.6,发明人:赵立波、徐龙起、黄恩泽等。
- 基于ZnO纳米线阵列的压力传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 201210126095.2,授权日:2013.11.6,发明人:蒋庄德、许煜、赵立波。
- 一种双C型压电式动态轴重传感器,中国发明专利,授权号:ZL 201110081036.3,授权日:2013.4.17,发明人:赵立波、梁建强、赵玉龙等。
- 基于MEMS技术的同时测量流体密度、压力和温度的集成流体传感器,中国发明专利,授权号:ZL 201110180191.0,授权日:2013.3.13,发明人:赵立波、黄恩泽、张桂铭等。
- 一种复合式MEMS耐高温超高压力传感器,中国发明专利,授权号:ZL 201010522858.6,授权日:2012.7.4,发明人:赵立波、郭鑫、孟夏薇等。
- MEMS筒式耐高温超高压力传感器,中国发明专利,授权号:ZL 201010621888.2,授权日:2012.6.31,发明人:赵立波、郭鑫、赵玉龙等。
- 基于微机电系统技术的密度传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 200910219371.8,授权日:2011.11.16,发明人:赵立波、黄恩泽、蒋庄德等。
- 基于微机电系统技术的粘度传感器芯片及其制备方法,中国发明专利,授权号:ZL 200910219368.6,授权日:2011.8.31,发明人:赵立波、张桂铭、蒋庄德等。