发明专利

36. 范修军, 孙波. 具有两种碲配位结构的碳基催化剂及其制备方法和应用，申请号: CN202311733487.X.；

35. 范修军, 孙波.  一种具有两种Zr物相结构的碳基催化剂及其制备方法和应用，申请号: CN202510403884.3

34. 范修军, 毛文佳, 陈亭睿. 一种钨诱导的亚纳米铱氧团簇电催化剂的制备方法、电催化剂及其应用, 申请号: CN202510013126.0

33. 范修军, 曹代丽, 王孜轩. 一种具有Fe-B双位点的金属和非金属级联催化剂及其制备方法和应用, 专利号: ZL202411738525.5

32. 范修军, 李冬, 阮兴杰, 朱鹏飞. 一种氧连接的单原子-氧化物过渡金属催化剂及其制备方法和应用, 专利号: ZL202510299405.8

31. 范修军, 王孜轩，曹代丽.  一种氧桥连铁硅双原子电催化剂及其制备方法和应用，专利号: ZL202411738326.4；

30. 范修军, 曹代丽. 畸变八面体配位的钴单原子电催化剂及其制备方法和应用，专利号: ZL202211667307.8.；

29. 范修军, 牟志星. 一种具有氮氧硅配位的电催化剂及其制备方法和应用，专利号: ZL202211339909.0；

28. 范修军, 牟志星. 富含边缘缺陷的硫、氮共掺杂石墨烯及其制备方法和应用，专利号: ZL202111331575.8；

27. 范修军, 刘辉, 李思殿. 一种碲化钨-硼化钨异质结电催化剂及其制备方法和应用, 专利号: ZL202010412866.9；

26. 范修军, 何强, 张献明. 一种富含氧空位的二氧化碳电化学还原催化剂及其制备方法和应用, 专利号: ZL202010033863.4；

25. 范修军, 杨洋, 张献明. 一种化学连接的非贵金属异质结构复合材料及其制备方法和应用, 专利号: ZL202010093207.3；

24. 范修军, 刘静, 张献明. 一种限域负载钌纳米团簇的氮化钨纳米多孔薄膜一体化电极及其制备方法和应用, 专利号: ZL202011424235.5；

23. 范修军, 彭赛松, 张献明. 一种限域生长钴纳米颗粒的氮化钽碳纳米薄膜一体化电极及其制备方法和应用, 专利号: ZL201911290273.3；

22. 范修军, 彭赛松, 张献明. 一种含铁镍掺杂的氮化钽碳纳米薄膜一体化电极的制备方法和应用, 专利号: ZL201911289710.X；

21. 范修军, 董静, 刘静, 张献明. 一种自支撑金属掺杂氮化铁电极的制备方法、产品及应用, 专利号: ZL202010093197.3；

20. 范修军, 何强, 张献明. 一种Ni-Fe双原子电催化剂及其制备方法和应用, 专利号: ZL202010033854.5；

19. 范修军, 杨洋, 董静, 张献明. 一种非贵金属双原子电催化剂及其制备方法和应用, 专利号: ZL201910131156.6；

18. 范修军, 卫昭君, 董静, 杨洋, 张献明. 一种含氮掺杂的钴基碳纳米催化剂及其制备方法和应用,专利号: ZL201810712410.7；

17. 范修军, 董静, 杨洋, 王娟娟, 张献明. 一种镍基一体化电极的制备方法、产品及应用, 专利号: ZL201710980361.0；

16. 范修军, 王娟娟, 张献明. 一种富缺陷Fe2O3-FeF2纳米多孔薄膜、制备方法及其应用, 专利号: ZL201710980368.2；

15. 范修军, 赵岩, 王娟娟, 张献明. 一种制备金刚石晶体薄膜材料的装置和方法, 专利号：ZL201610027740.3；

14. 范修军, 赵岩, 张献明. 一种碳纳米复合材料及其制备方法和应用, 专利号: ZL201510652108.3；

13. 郭霞, 范修军, 李冲, 刘巧莉, 董建, 刘白. 一种铁族碳化物纳米晶体-石墨烯纳米带复合材料、制备及其应用, 专利号: ZL201410596671.9；

12. 郭霞, 范修军, 李冲, 刘巧莉, 董建, 刘白. 一种石墨烯纳米带垂直阵列-碳化钼纳米晶体复合材料、制备及其应用, 专利号: ZL201410596776.4；

11. 郭霞, 范修军, 李冲, 董建, 刘白, 刘巧莉. 一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳化钨纳米晶体复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用, 专利号: ZL201410596631.4；

10. 郭霞, 范修军, 李冲, 董建, 刘白, 刘巧莉. 一种制备3C-SiC纳米盘、制备方法, 专利号: ZL201410594553.4；

9. 郭霞, 范修军, 李冲, 刘白, 刘巧莉, 董建. 一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用, 专利号: ZL201410596686.5；

8. 郭霞, 范修军, 李冲, 刘白, 刘巧莉, 董建. 一种垂直石墨烯纳米带、制备与在制备超级电容器中的应用, 专利号: ZL201410596634.8；

7. 蒋毅坚, 徐宏, 范修军, 王越. 浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法, 专利号: ZL201110257469.X；

6. 蒋毅坚, 徐宏, 范修军, 王越. 一种不同气氛下无坩埚生长蓝宝石晶体方法, 专利号: ZL201110068628.1；

5. 蒋毅坚, 徐宏, 范修军, 王越. 光学浮区法生长蓝宝石晶体的方法, 专利号: 201010532360.8；

4. 王越, 范修军, 徐宏, 蒋毅坚. 大尺寸Al2O3基晶体二步法制备方法, 专利号：ZL201010538332.7；

3. 王越, 范修军, 徐宏, 蒋毅坚. 一种快速生长厘米量级红宝石晶体的方法, 专利号: ZL201010522412.3；

2. 王越, 范修军, 徐宏, 蒋毅坚. 一种快速生长Nb2O5晶体的方法, 专利号: ZL201010515975.X；

1. 王越, 范修军, 黄强, 胡振江, 蒋毅坚. 一种提高Sr2-xCaxNaNb5O15陶瓷介电和压电性能的制备工艺, 专利号: ZL200910086805.1；